ES3000 V3 NVMe SSD

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ES3000 V3 NVMe SSD

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产品详细介绍

ES3000 V3是华为第六代企业级高性能SSD，具有性能高、响应快、可靠性高等特点，解决硬盘IO性能瓶颈，大幅提升数据库、云服务、虚拟化、分布式存储、大数据等业务应用性能，帮助客户降低系统TCO。

关键特性

高性能、高可靠、易维护

采用华为自研SSD控制器芯片、六代产品演进SSD算法技术
PCIe 3.0 x4总线接口，NVMe 1.2标准，提供U.2盘(2.5寸)和半高半长卡产品形态
800GB~3.2TB容量，高达3.2GB/s带宽和80万IOPS性能，满足多种业务需求
操作系统免驱，可做启动盘，支持热插拔，即插即用
提供原子写(Atomic Write)、SR-IOV、多Name-Space等特性，优化数据库、虚拟化等应用
与服务器BMC管理无缝结合，实时监测SSD的寿命、温度、功耗、SMART等关键信息

技术规格

型号	ES3500P V3				ES3600P V3
产品形态	U.2盘(2.5寸)				U.2盘(2.5寸)
总线接口	PCIe 3.0 x4				PCIe 3.0 x4
NVMe标准	NVMe 1.2				NVMe 1.2
Flash颗粒	MLC				MLC
可用容量	800 GB	1.2 TB	3.2 TB	800 GB	1.2 TB	1.6 TB	2.0 TB	3.2 TB	800 GB
顺序读带宽(MB/s)	2,400	2,900	2,900	2,700	3,100	3,200	2,750	3,100	2,700
稳定随机读IOPS @4KB	600K	710K	715K	680K	800K	800K	650K	800K	680K
平均读时延@4KB	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs
顺序写带宽(MB/s)	1,000	1,700	1,800	1,100	1,800	1,950	1,550	1,950	1,100
最大随机写IOPS @4KB	250K	405K	428K	275K	428K	464K	380K	464K	275K
稳定随机写IOPS @4KB	55K	85K	78K	100K	160K	175K	110K	170K	100K
平均写时延@4KB	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs
稳定随机7:3读/写混合IOPS @4KB	150K	220K	225K	230K	387K	390K	285K	390K	230K
平均功耗(Idle/ Active)	7/ 13.5 W	7/ 17 W	7/ 21 W	7/ 14 W	7/ 17.5 W	7/ 18.5 W	7/ 18 W	7/ 22 W	7/ 14 W
数据写入总量(PBW)*	1.46	2.19	5.84	4.38	6.57	8.76	10.95	17.52	4.38
5年DWPD寿命**	1	1	1	3					3

备注：规格如有更改，恕不另行通知。性能结果基于内部测试，可能因配置和系统差异而不同，包括产品容量、操作系统版本、测试工具等。
1、数据写入总量(PBW，PetaByte Writes)*：在4KB IO size和4KB对齐条件下、100%随机写的测试结果，计算公式：数据写入总量PBW=SSD容量 * DWPD * 365天 * 5年。
2、5年DWPD寿命**：驱动器每天全盘写入次数(DWPD，Disk Writes per Day)，此压力下持续工作5年。
3、带宽性能测试标准：使用FIO工具在RHEL 7.0系统上用1线程512QD 1MB顺序读写的带宽。
4、IOPS性能测试标准：使用FIO工具在RHEL 7.0系统上用8线程64QD 4KB随机读写的IOPS。
5、平均时延测试标准：使用FIO工具在RHEL 7.0系统上用1线程1QD 4KB随机读写的平均时延。

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